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NOR Flash和NAND Flash编程注意事项

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NOR Flash和NAND Flash编程注意事项

2015-12-29 骆慧徵    上海点点红有限公司


NOR Flash和NAND Flash编程注意事项

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。

NOR Flash类似ROM,编程简单,所以使用的工程师也很多,要不是成本太高,NAND Flash根本无法生存。

NAND Flash价格低廉,存储容量大,所以越来越受到消费者的喜爱,特别是需要存储大量数据的消费者。

那NAND Flash的编程又要注意哪些呢?

常用的三种坏块处理方式

1) 跳过坏块(Skip bad block)

是一种常用的坏块处理方式。它的实现原理比较简单,顺序烧录,发现某一块为坏块后,将相应数据烧录到下一个好块,如果发现连续的坏块,也连续跳过这些坏块,并把数据烧录到下一个出现的好块中,其原理如下图(图 1:Skip bad block)所示。

2)Hard Copy 的方法

在读写过程中并不判断坏块,只是把它当成一般的 Flash 进行处理(图2:Hard Cope)。

但在烧写时,由于坏块的存在,导致对应的数据无法烧写进去。

所以在一般,我们不推荐使用这种方式烧写 NAND Flash。

不过在读芯片(母片)数据时,有时候我们并不清楚该芯片的坏块标志位是不是被改变,不清楚该芯片用的是什么坏块处理方式,我们还是推荐采用这种方法读取芯片数据。这种方法可以读出芯片的所有内容,以便进行下一步分析。

3)分区烧录

其实就是使用跳过坏块,根据分区表对数据文件进行烧录(图3:Partition)。这是一种最安全的烧录方式。

总结:NAND Flash 的坏块处理方式很多,不同的方案公司或者系统提供商会选择不同的坏块处理方式来满足产品开发的需要。

目前西尔特已经根据客户的要求,解决了近百种坏块处理方案,并且将常用的三种坏块处理方式(跳过坏块、硬拷贝和分区),集成到烧录算法里面(如图二),也拓展了更多其他通道方便客户选择使用。

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